英飞凌用体硅工艺制造出来的晶体管和晶体管逻辑器件在集成能力上是最好的，与砷化镓和氮化镓相比，这套工艺不需要额外的氧化层，也不需要不同的材料作为晶圆加工的一部分，这意味着生产成本可以控制在非常低的水平，而且也能实现电路板板上空间受限的设计，这是一种制造成本低、性能较高和具备不错低功耗性能的成熟技术。
现阶段来说中晶微掌握得最好的工艺技术是Fi工艺，在传统的金属氧化物半导体结构晶体管和晶体管逻辑器件上的工艺还是欠缺些，这方面万国商业机器公司和英特尔德州仪器这样的传统晶圆大厂在这方面有着大量的技术专利，形成了无比坚固的专利壁垒。
而且这些公司这么多年来不断地在传统的架构上进行改良，其中就包括利用高K电介质减少漏电，再一个就是利用了应变硅技术，还有利用金属栅极应对多元消耗的技术。
英特尔这方面技术是做得最好的，现在已经是开始将高K电介质和金属栅极技术引入了自己45纳米工艺制程节点。
谭云松带领的技术团队在加入中晶微后主攻的方向是Fi和SOI这两种工艺，因为这两种工艺都是新结构，受国外的技术限制少，但也不意味着公司就没有在传统的金属氧化物半导体结构工艺上下功夫。
不过国内在这方面欠账很多，这需要耗费大量的精力，只能是通过招募这方面的技术人员过来培养技术团队。
中晶微在Fi工艺的基础上也是提出了SOI结构工艺，这两种结构的主要结构都是薄体，因此栅极电容更接近整个通道，本体很薄，大约在10纳米以下，所以没有离栅极很远的泄漏路径，栅极可有效控制泄漏。
现在公司Fi结构工艺可以在体硅或SOI晶片上实现，提供了超过体硅金属氧化物半导体结构的许多优点，给定晶体管占空比的更高的驱动电流，更高的速度，更低的泄漏，更低的功耗，无随机的掺杂剂波动，因此晶体管的移动性和尺寸更好，但是工艺成本上还是比金属氧化物半导体结构工艺的芯片成本要高。
而绝缘体上硅，也就是SOI结构工艺和传统金属氧化物半导体结构的主要区别在于：SOI器件具有掩埋氧化层，其将基体与衬底隔离，也就是晶圆片的不同，SOI晶圆片的硬度比体硅的要高很多，而且它非常难以控制整个晶圆上的锡硅膜，而且要要用到特别精密的专用设备将晶片减薄到100纳米以下，可见起征点难度。
相比较而言，Fi工艺缺点之一是其复杂的制造工艺，而SOI工艺的绊脚石就是SOI晶圆片的生产供应，SOI晶圆成本能占到占总工艺成本的10％左右。
这两种工艺用来生产利润很高的芯片还是可以的，但是绝大多数的芯片成本就是要控制在一个很低的水平才有竞争力。
之前中晶微收购了特许半导体的晶圆厂是得到了一批传统金属氧化物半导体结构工艺的技术人员，但是很多的工艺都是要得到西方公司的生产工艺授权，技术源头还是来自于鹰酱国内的这些公司。
虽然这些年中晶微在金属氧化物半导体结构工艺上也是取得了一些技术专利，但是比起英特尔和万国商业机器公司来说还是跟在他们面追赶。
SOI和Fi结构其实英特尔和万国商业机器公司都是有在研究，凭着他们庞大的研发人员进行技术攻关在这些方面都是追得非常紧。
SOI工艺与金属氧化物半导体工艺相比较的话，在28纳米节点，SOI晶圆有一定的优势，但是到了20纳米和14纳米，SOI的优势就很明显了，SOI晶圆的成本低于金属氧化物半导体的，更远低于Fi的晶圆成本。
杨杰清楚地知道只有高端计算机或者服务所用的高性能处理器能承受Fi的高成本，从半导体产业发展来看，智能手机是重要的推动力量，不过智能手机处理器要承受价格和功耗的压力。
作为现阶段智能手机的巨头公司，华兴集团公司选择发展SOI工艺自然是非常现实的选择，现在华兴集团公司自己已经能够开始生产绝缘体上硅晶圆片，但是SOI工艺和金属氧化物半导体的工艺是相似的，到最后华兴集团公司还是要补上自己的技术短板。
英飞凌在金属氧化物半导体结构设计开发上是很拿手的，而且这些技术移植到SOI难度并不大。
前世的时候，意法半导体依托SOI工艺在28纳米节点实现了主频高达3G赫兹的双核A9处理器，在手机实际应用中，其功耗比主频1.4GH中的四核A9处理器还低，有力地展示了SOI工艺的优势。
这种SOI工艺可以将工作电压降低至大约0.6V，而相比之下金属氧化物半导体工艺的最小极限值一般在0.9V左右，使用SOI的后向偏置技术可以提供更宽动态范围的性能，因此特别适合移动和消费级多媒体应用。
作为重生的顶尖集成电路科学家，杨杰对每一种的一种工艺技术都是了解其未来可扩展性，至少从14纳米到7纳米，SOI可以发展出三代工艺技术。
实际上，SOI工艺更易实现高性能存储设计，在处理器的开发上，SOI的嵌入式存储解决方案不但获得了容量的提升，更在性能上大幅提升。
SOI与Fi可谓殊途同归，所以两种工艺并非完全对立的技术，SOI工艺也是可以从2D发展到3D，即发展为SOIFi工艺。
现阶段来说中晶微掌握得最好的工艺技术是Fi工艺，在传统的金属氧化物半导体结构晶体管和晶体管逻辑器件上的工艺还是欠缺些，这方面万国商业机器公司和英特尔德州仪器这样的传统晶圆大厂在这方面有着大量的技术专利，形成了无比坚固的专利壁垒。
而且这些公司这么多年来不断地在传统的架构上进行改良，其中就包括利用高K电介质减少漏电，再一个就是利用了应变硅技术，还有利用金属栅极应对多元消耗的技术。
英特尔这方面技术是做得最好的，现在已经是开始将高K电介质和金属栅极技术引入了自己45纳米工艺制程节点。
谭云松带领的技术团队在加入中晶微后主攻的方向是Fi和SOI这两种工艺，因为这两种工艺都是新结构，受国外的技术限制少，但也不意味着公司就没有在传统的金属氧化物半导体结构工艺上下功夫。
不过国内在这方面欠账很多，这需要耗费大量的精力，只能是通过招募这方面的技术人员过来培养技术团队。
中晶微在Fi工艺的基础上也是提出了SOI结构工艺，这两种结构的主要结构都是薄体，因此栅极电容更接近整个通道，本体很薄，大约在10纳米以下，所以没有离栅极很远的泄漏路径，栅极可有效控制泄漏。
现在公司Fi结构工艺可以在体硅或SOI晶片上实现，提供了超过体硅金属氧化物半导体结构的许多优点，给定晶体管占空比的更高的驱动电流，更高的速度，更低的泄漏，更低的功耗，无随机的掺杂剂波动，因此晶体管的移动性和尺寸更好，但是工艺成本上还是比金属氧化物半导体结构工艺的芯片成本要高。
而绝缘体上硅，也就是SOI结构工艺和传统金属氧化物半导体结构的主要区别在于：SOI器件具有掩埋氧化层，其将基体与衬底隔离，也就是晶圆片的不同，SOI晶圆片的硬度比体硅的要高很多，而且它非常难以控制整个晶圆上的锡硅膜，而且要要用到特别精密的专用设备将晶片减薄到100纳米以下，可见起征点难度。
相比较而言，Fi工艺缺点之一是其复杂的制造工艺，而SOI工艺的绊脚石就是SOI晶圆片的生产供应，SOI晶圆成本能占到占总工艺成本的10％左右。
这两种工艺用来生产利润很高的芯片还是可以的，但是绝大多数的芯片成本就是要控制在一个很低的水平才有竞争力。
之前中晶微收购了特许半导体的晶圆厂是得到了一批传统金属氧化物半导体结构工艺的技术人员，但是很多的工艺都是要得到西方公司的生产工艺授权，技术源头还是来自于鹰酱国内的这些公司。
虽然这些年中晶微在金属氧化物半导体结构工艺上也是取得了一些技术专利，但是比起英特尔和万国商业机器公司来说还是跟在他们面追赶。
SOI和Fi结构其实英特尔和万国商业机器公司都是有在研究，凭着他们庞大的研发人员进行技术攻关在这些方面都是追得非常紧。
SOI工艺与金属氧化物半导体工艺相比较的话，在28纳米节点，SOI晶圆有一定的优势，但是到了20纳米和14纳米，SOI的优势就很明显了，SOI晶圆的成本低于金属氧化物半导体的，更远低于Fi的晶圆成本。
杨杰清楚地知道只有高端计算机或者服务所用的高性能处理器能承受Fi的高成本，从半导体产业发展来看，智能手机是重要的推动力量，不过智能手机处理器要承受价格和功耗的压力。
作为现阶段智能手机的巨头公司，华兴集团公司选择发展SOI工艺自然是非常现实的选择，现在华兴集团公司自己已经能够开始生产绝缘体上硅晶圆片，但是SOI工艺和金属氧化物半导体的工艺是相似的，到最后华兴集团公司还是要补上自己的技术短板。
英飞凌在金属氧化物半导体结构设计开发上是很拿手的，而且这些技术移植到SOI难度并不大。
前世的时候，意法半导体依托SOI工艺在28纳米节点实现了主频高达3G赫兹的双核A9处理器，在手机实际应用中，其功耗比主频1.4GH中的四核A9处理器还低，有力地展示了SOI工艺的优势。
这种SOI工艺可以将工作电压降低至大约0.6V，而相比之下金属氧化物半导体工艺的最小极限值一般在0.9V左右，使用SOI的后向偏置技术可以提供更宽动态范围的性能，因此特别适合移动和消费级多媒体应用。
作为重生的顶尖集成电路科学家，杨杰对每一种的一种工艺技术都是了解其未来可扩展性，至少从14纳米到7纳米，SOI可以发展出三代工艺技术。
实际上，SOI工艺更易实现高性能存储设计，在处理器的开发上，SOI的嵌入式存储解决方案不但获得了容量的提升，更在性能上大幅提升。
SOI与Fi可谓殊途同归，所以两种工艺并非完全对立的技术，SOI工艺也是可以从2D发展到3D，即发展为SOIFi工艺。