“如果要用一句话概括,那就是这款光刻胶是我专门为多重曝光技术而设计的产品。”

    当陈星听见这句话那刻,心中也泛起了波澜。

    因为没有13.5极紫外光的EUV光刻机,各个环节都需要配合多重曝光技术去设计。

    想弄更先进的光刻胶?

    不好意思。

    48纳米DUV光刻机不支持!

    因为48纳米的DUV光刻胶照射出来的光源是193纳米,如果光刻胶不能适配这个数值,那将无法参与芯片生产。

    “辛苦了。”

    纵使有千言万语,陈星也只能化作这三个字。

    他已经打定主意了,只要光刻工厂宣布建设完成,并投入使用那刻,就是彻底与西方摊牌,半导体领域全面反击的时刻。

    “职责所在。”朱明月淡淡一笑,又拿起旁边的罐子道:“刚才的是正胶,这罐是反胶,总裁可以带回去试试效果。”

    虽然光刻胶种类多,大致分为六种,不过40纳米以下芯片用的光刻胶一般都是ArF光刻胶,而它又区分正反胶。

    何为光刻正反胶?

    就比如说ArF光刻胶的正胶,它被紫外光照射后,照射区域的化学性质会变得容易溶解,因此经过曝光的区域会被移除,形成电路图案,未曝光的区域则保持不变,形成所需的结构。

    至于ArF光刻胶的反胶,它被紫外光照射则截然相反,未曝光区域的化学性质变得容易溶解,因此未经曝光的区域会被移除,形成图案,经曝光的区域则保持不变,形成所需的结构。

    光刻正反胶,它们分别对应了不同的光刻生产工艺,也是硅片曝光的必备。

    “对了。”

    朱明月在拿出光刻胶后,还不忘提一嘴道:“这款光刻胶阻抗是10的20次方,领先JSR株式会社、TOK东京应化5个次方。

    “阻抗越高,就代表光刻胶纯度越高,纯度不足就会造成硅片污染,这款光刻胶总的来说就四个字,遥遥领先。”

    “遥遥领先…”

    陈星听见后难掩心中激动。

    前有16英寸半导体硅片,后有10^20ArF光刻胶,芯片生产原材料方面算是初步闭环了。

    为什么说初步闭环,而不是说全面闭环?